Te掺杂对TiCoSb基Half-Heusler化合物高温热电性能的影响

稀有金属材料与工程, 2007, 36(z2): 412-414.

Te掺杂对TiCoSb基Half-Heusler化合物高温热电性能的影响

吴汀 ^1, , 江莞 ^2, , 陈立东 ^3, , 李小亚 ^4, , 张建峰 ^5,

1.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100049

2.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海,200050

3.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海,200050

4.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海,200050

5.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100049

基金项目: 国家自然科学基金(50325208)

关键词： half-Heusler化合物 , TiCoSb , 固相反应 , 热电性能

The High Temperature Thermoelectric Properties of Te-doped TiCoSb Half-Heusler Compounds

采用固相反应法制备了Te掺杂的TiCoSb基half-Heusler化合物.X射线衍射分析表明,Te掺杂的TiCoSb化合物是单相.在300～850 K的温度范围内测量了材料的电阻率、赛贝克系数和热导率.结果表明:未经掺杂的TiCoSb化合物是n型半导体,在高温下有很高的赛贝克系数.在Sb位掺杂Te后,材料的电阻率和赛贝克系数的绝对值随着掺杂量的增加明显降低.材料的热导率随着掺杂量的增加而呈小幅度减小.Te掺杂后材料ZT值提高,最高的ZT值比基体提高了5倍多.

参考文献

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