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对用于大功率LED阵列的多孔微热沉的主动冷却方案展开了实验研究,实验结果表明在输入功率为45 W的情况下,不采用多孔微热沉换热时,LED芯片温度在两分钟时间内就升高到了70℃;在采用多孔微热沉后,在50s系统就到达稳定,而且温度仅为38.3℃,即使功率加大到75 W,温度也仅为42.5℃.对多孔微热沉结构进行数值分析,结果表明,优化后的结构能提高LED散热效果,并极大的改善了基板的温度均匀性,有利于LED寿命和性能的提高.

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