本文研究了利用超高压电子显微镜测定空位移动能的方法。在引入试样表面与点缺陷相互作用的前提下,提出了新的计算公式。根据该公式,通过测定电子束辐照下位错环的生长速度,可以计算空位迁移能。
A method together with a new formula were developed for measur-ing the vacancy migration energy by HVEM considering the effect of surface sinkof specimen on point defects. The vacancy migration energy may be calculatedthrough the loop growth rate under electron irradiation at various temperatures.
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