简立方晶体(001)晶面生长的蒙特卡罗模拟

功能材料, 2008, 39(9): 1584-1588.

简立方晶体(001)晶面生长的蒙特卡罗模拟

李明伟 ^1, , 程旻 ^2, , 付东 ^3, , 李哲 ^4, , 朱廷霞 ^5,

1.重庆大学,动力工程学院,重庆,400030

2.重庆大学,动力工程学院,重庆,400030

3.重庆大学,动力工程学院,重庆,400030

4.重庆大学,动力工程学院,重庆,400030

5.重庆大学,动力工程学院,重庆,400030

基金项目: 国家自然科学基金(50676113) 教育部跨世纪优秀人才培养计划(NCET-05-0761)

关键词：晶体生长 , 蒙特卡罗模拟 , 表面形貌 , 分形维数

Monte Carlo simulation of growth of the(001)face for a simple cubic crystal

通过对简立方晶体(001)晶面生长的蒙特卡罗模拟,获得了不同晶体表面热粗糙度,不同过饱和度,不同平均扩散距离以及不同表面尺寸下晶体生长速率;同时,应用舍维数法,计算了表面分形维数;并对表面形貌及描述表面特性的相关参量作了分析.结果表明,法向生长模式和二维核生长模式,包括单核和多核生长模式,都可能出现,其主要取决于热粗糙度和过饱和度的大小.晶体生长速率与表面的微观特性紧密相关,如扭折、台阶、台面和吸附基元的百分比.

参考文献

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