基于柱状ZnO薄膜的超低阈值电压压敏电阻

材料科学与工程学报, 2009, 27(1): 9-11.

基于柱状ZnO薄膜的超低阈值电压压敏电阻

季振国 ^1, , 黄东 ^2, , 席俊华 ^3, , 柯伟青 ^4, , 周荣富 ^5,

1.杭州电子科技大学电子信息学院,浙江,杭州,310018;浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

2.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

3.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

4.杭州电子科技大学电子信息学院,浙江,杭州,310018

5.杭州电子科技大学电子信息学院,浙江,杭州,310018

基金项目: 国家自然科学基金(60576063) 面向21世纪教育振兴行动计划（985计划）教育部高等学校博士学科点专项科研基金(20050335036)

关键词：氧化锌 , 柱状薄膜 , 压敏电阻 , 超低阈值

Ultra-Low-Threshold Varistors Based on Columnar ZnO Thin Films

利用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了基于柱状ZnO薄膜的Al-ZnO-Al三明治结构的超低阈值电压的压敏电阻.XRD和SEM测试结果表明,该压敏电阻中的ZnO薄膜层为结晶性能良好,并且沿ZnO的(002)晶面择优取向生长的柱状薄膜.Ⅰ-Ⅴ测试结果表明,这种由柱状ZnO薄膜构成的压敏电阻阈值电压仅3.2 V,为现有压敏电阻中阈值电压最低的压敏电阻.

参考文献

[1]	S.L. Jiang;T.T. Xie;H. Yu;Y.Q. Huang;H.B. Zhang .Studies on the degradation properties of the ZnO-based ceramic film varistors[J].Microelectronic engineering,2008(2):371-374.
[2]	林枞,徐政,彭虎,孙丹峰.微波烧结氧化锌压敏电阻的致密化和晶粒生长[J].无机材料学报,2007(05):917-921.
[3]	张丛春,周东祥,龚树萍.低压ZnO压敏电阻材料研究及发展概况[J].功能材料,2001(04):343-347.

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