哈氏C-2000合金在等温氧化时第二相沉淀析出行为

稀有金属, 2016, 45(1): 28-31.

哈氏C-2000合金在等温氧化时第二相沉淀析出行为

袁亮 ^1, , 胡锐 ^2, , 张铁邦 ^3, , 薛祥义 ^4, , 李金山 ^5,

1.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西西安,710072

2.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西西安,710072

3.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西西安,710072

4.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西西安,710072

5.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西西安,710072

基金项目: National High Technology Research and Development Program of China ("863" Program)(2013AA031004)

关键词：氧化 , 富Mo相 , Mo3Ni3C型碳化物 , 晶界 , 电极电位

Precipitation Behavior of Second Phases during Isothermal Oxidation of Hastelloy C-2000 Alloys

Keywords： oxidation , Mo-rich phase , Mo3Ni3C type carbide , grain boundary , potential

研究了哈氏C-2000合金在800℃/100 h空气中等温氧化后合金基体中第二相的沉淀行为.氧化后基体中析出了富Mo相,可确定该富Mo相为具有金刚石结构的Mo3Ni3C型碳化物.富Mo相沿晶界和晶内分别呈现出非连续和连续条状形貌特征.然而,经深腐蚀后,晶内和晶界处形貌均发生了变化,即,沿晶界出现了大量白色絮状物,晶内则出现了具有金刚石结构的腐蚀坑.由于富Ni和富Cr区域具有更负的电极电位,因而使得这些区域在深腐蚀后更易被侵蚀.

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哈氏C-2000合金在等温氧化时第二相沉淀析出行为

Precipitation Behavior of Second Phases during Isothermal Oxidation of Hastelloy C-2000 Alloys

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