建立了YF基元生长模型来模拟腐蚀箔形态,并利用该模型计算了各种形成电压下的理论扩面倍率,所得到的结果介于C.G.Dunn的圆孔模型和永田伊佐也的方孔模型之间.结果显示:目前近高压区(＞300V)的实际扩面倍率与理论扩面倍率已很接近,通过电蚀扩面的前景较小,而对于中低压腐蚀箔,单位面积的静电容量的提高余地还很大.
参考文献
| [1] | DunnCG;BolonRB et al.[J].Journal of the Electrochemical Society,1971,118(02):381. |
| [2] | 永田伊佐也.ァルミニゥム干式电解コンデンサ[M].日本:川竹ェレクトロニクス株式会社,1986 |
| [3] | Wit H J;Boots H M J .[J].Journal of Applied Physics,1983,54(05):2727. |
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