AST液相掺杂对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导瓷显微结构及电性能影响

功能材料, 2002, 33(5): 532-533.

AST液相掺杂对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导瓷显微结构及电性能影响

姜胜林 ^1, , 周东祥 ^2, , 龚树萍 ^3, , 汪小红 ^4,

1.华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074

2.华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074

3.华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074

4.华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074

基金项目: 湖北省自然科学基金(2001ABB019) 国家高技术研究发展计划(863计划)(715-006-0080)

关键词： AST液相 , 低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体瓷 , 显微结构及电性能

The effect on the microstructure and electrical properties of AST quantities

通过改变低电阻率BaTiO3半导体陶瓷中液相添加剂AST的含量,采用XRD和SEM显微分析方法研究了AST含量对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷显微结构的影响.研究结果指出:BaTiO3半导体陶瓷中AST的引入量对晶界厚度的控制存在两个临界点,晶界厚度对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷的显微结构和电性能产生重要影响.

参考文献

[1]	周东祥;张绪礼;李标荣.半导体陶瓷及应用[M].武汉:华中理工大学出版社,1991
[2]	李标荣;王筱珍;张绪礼.无机电介质[M].武汉:华中理工大学出版社,1995
[3]	周东祥;龚树萍.PTC材料及应用[M].武汉:华中理工大学出版社,1989
[4]	Daniels J;Wernicke R .[J].Philips Research Reports,1976,36(06):544-559.
[5]	姜胜林 .BaTiO<,3>半导瓷改性机理及高性能材料研究[D].华中科技大学,2001.

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The effect on the microstructure and electrical properties of AST quantities

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