SiC籽晶背面镀膜对生长晶体品质的影响

人工晶体学报, 2013, 42(10): 2024-2027.

SiC籽晶背面镀膜对生长晶体品质的影响

刘兵 ^1, , 陈治明 ^2, , 封先锋 ^3, , 林生晃 ^4, , 王风府 ^5,

1.西安理工大学,西安710048

2.西安理工大学,西安710048

3.西安理工大学,西安710048

4.西安理工大学,西安710048

5.西安理工大学,西安710048

基金项目: 陕西省教育厅服务地方专项计划(2012JC20) 陕西省工业攻关项目(2012KD6-21)

关键词： SiC籽晶 , 升华 , 热分解腔 , 微管

Effect of Back Coating of Seed on SiC Crystal Quality

LIU Bing ^1, , CHEN Zhi-ming ^2, , FENG Xian-feng ^3, , LIN Sheng-huang ^4, , WANG Feng-fu ^5,

1.西安理工大学,西安710048

2.西安理工大学,西安710048

3.西安理工大学,西安710048

4.西安理工大学,西安710048

5.西安理工大学,西安710048

Keywords： SiC seed , subliming , thermal decomposition cavity , micropipe

在SiC单晶生长过程中,与籽晶背面升华有关的热分解腔等缺陷的形成严重影响了生长晶体的品质.本文介绍一种可以有效防止籽晶背面升华的预处理方法,即在粘贴籽晶之前,用直流反应溅射法在籽晶背面镀一层均匀、致密的耐高温薄膜TiN.实验结果表明,用这种方法生长的晶体中未发现热分解腔和六方空洞,而且微管密度也有所降低.

参考文献

[1]	杨莺,刘素娟,陈治明,林生晃,李科,杨明超.SiC籽晶表面状态对晶体质量的影响[J].人工晶体学报,2012(02):294-297.
[2]	S. H. Lin;Z. M. Chen;P. Liang .Investigation of micropipe defect terminating during SiC crystal growth[J].Materials Science and Technology: MST: A publication of the Institute of Metals,2011(2):586-588.
[3]	SANCHEZ EDWARD K.;KUHR THOMAS .Formation of Thermal Decomposition Cavities in Physical Vapor Transport of Silicon Carbide[J].Journal of Electronic Materials,2000(3):347-352.
[4]	王英民,宁丽娜,彭燕,徐化勇,胡小波,徐现刚.6H-SiC成核表面形貌与缺陷产生的研究[J].人工晶体学报,2009(01):7-10,38.

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