运用数值模拟技术改进VGF法生长GaAs晶体

人工晶体学报, 2008, 37(5): 1056-1059.

1.北京有色金属研究总院,北京国晶辉红外光学材料有限公司,北京,100088

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基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2002AAF3102)

Use of Numerical Modeling for Improved of VGF-growth GaAs Crystals

在VGF法生长GaAs晶体的过程中固液界面凹向晶体,很容易在坩埚圆锥面处生长多晶.本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对实验温场进行了计算机模拟并提出改进方案,把底加热器取消并在坩埚底部加入氦气冷源,底部结构类似于热交换法系统.这样改变热场结构,得到凸向熔体的固液界面.

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