α-Si3N4陶瓷的液相烧结及其介电性能

稀有金属材料与工程, 2007, 36(z1): 259-262.

α-Si3N4陶瓷的液相烧结及其介电性能

沈强 ^1, , 李君 ^2, , 陈斐 ^3, , 陈常连 ^4, , 张联盟 ^5,

1.武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070

2.武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070

3.武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070

4.武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070

5.武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070

基金项目: 教育部跨世纪优秀人才培养计划(NCET-05-0661)

关键词：放电等离子烧结(SPS) , 液相烧结(LPS) , α-氮化硅 , 烧结助剂 , 介电性能

Liquid Phase Sintering and Dielectric Property of α-Si3N4 Ceramics

以MgO、Al2O3和SiO2作为烧结助剂,采用放电等离子烧结(SPS)方法制备密度可控的α-Si3N4陶瓷材料.讨论了SPS方法制备α-Si3N4陶瓷材料的烧结行为和烧结机理,以及烧结助剂添加量和烧结温度等影响因素与材料密度的关系.结果表明:当烧结温度为1400～1500 ℃,烧结助剂添加量为9%～28.5%(质量分数,下同)时,可以制备出密度可控,且密度变化范围为2.48～3.09 g/cm3的α-Si3N4陶瓷材料,试样的主相为α-Si3N4,烧结机理为SPS低温液相烧结,材料在频率为1 MHz时的介电常数为5～7.5,与密度关系密切.

参考文献

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