偏压对金刚石薄膜选择性成核和生长影响的研究

功能材料, 2000, 31(5): 510-512.

1.上海大学材料科学与工程学院无机材料系,上海,201800

2.上海大学材料科学与工程学院无机材料系,上海,201800

3.上海大学材料科学与工程学院无机材料系,上海,201800

4.上海大学材料科学与工程学院无机材料系,上海,201800

Influence of the Bias on the Selective Nucleation & Growth of Diamond Thin Films

利用偏压增强MPCVD法成功地实现了金刚石薄膜在附有SiO2掩膜图形的镜面抛光的Si(100)上的选择性织构生长,列举了最佳偏压成核与选择性生长条件,SEM和Raman光谱对所得样品进行了表征,并对偏压对选择性成核和生长的影响机制进行了探讨.

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