用直流磁控溅射方法制备了性能优良的以(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx为种子层的Ni0.81Fe0.19薄膜, 研究了种子层成分及最大限度度对薄膜磁性和微结构的影响, 结果表明: 当种子层(Ni0.81Fe0.19)0.63Cr0.37厚度为5.5 nm时, Ni0.81Fe0.19(20.0 nm)薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值为(2.53±0.06)%; 当Cr的含量为0.36时, Ni0.81Fe0.19(60.0 nm)薄膜的AMR值为(3.35±0.06)%. AFM及XRD研究表明: 不同厚度缓冲层(厚度分别为2.8, 5.5和8.3 nm)的Ni0.81Fe0.19(20.0 nm)薄膜表面平均晶粒尺寸基本都为35.2 nm, 但其111织构相差很大, AMR值最大时, 对应的111衍射峰最强; 不同Cr含量(分别为0.28, 0.36和0.41)的Ni0.81Fe0.19(60.0 nm)薄膜表面平均晶粒尺寸和111衍射峰相差都很明显, AMR值最大时, 对应地薄膜表面平均晶粒尺寸最大, Ni0.81Fe0.19111衍射峰也最强.
参考文献
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