C和SiC掺杂对分步反应法制备MgB2块体和线材微观结构的影响

稀有金属, 2016, 45(1): 75-78.

C和SiC掺杂对分步反应法制备MgB2块体和线材微观结构的影响

杨芳 ^1, , 王庆阳 ^2, , 熊晓梅 ^3, , 刘国庆 ^4, , 闫果 ^5, , 冯建情 ^6, , 李成山 ^7,

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基金项目: National Natural Science Foundation of China (51302226,51372207) National Basic Research Program of China ("973" Program) (2011CBA00104) The National High Technology Research and Development Program of China ("863" Program) (2014AA032701)

关键词： MgB2 , 掺杂 , 相转化 , 烧结 , 两步反应

Effect of Carbon and SiC Doping on Microstructures of MgB2 Bulks and Wires by a Two-Step Reaction Method

Keywords： MgB2 , doping , phase evolution , sintering , two-step reaction

通过两步反应法制备了C和SiC掺杂的MgB2块材和线材.首先,按一定比例均匀混合Mg粉、B粉和C或SiC粉,压块后在900℃密闭氩气条件下烧结2h,得到C或SiC掺杂的MgB4块体;将一次烧结后的MgB4块体磨碎过筛,和补充的Mg粉混合作为前驱粉末制备MgB2,MgB2块体在密闭氩气条件下750℃烧结2h而MgB2线材在密闭氩气条件下680℃烧结2h.同时采用传统的固态烧结法制备了C或SiC掺杂的MgB2块体以作对比.对烧结后的样品进行了微观结构和相组成等分析检测.分步反应法与以往的固态烧结法相比,不仅因降低了Mg元素的影响而提高样品组织致密性,更因其采用了分步混合粉末而大大地提高了元素掺杂的均匀性.和SiC掺杂相比,C掺杂能更有效地进入MgB2晶粒和晶界.

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