本文报道了基于混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapor deposition,简称为HPCVD),以硅烷热解出的Si原子作硅源,在SiC衬底上原位生长了一系列硅掺杂MgB2超导薄膜样品.样品中最大硅掺杂量是9%.与纯净的MgB2薄膜相比较,掺杂样品的超导临界转变温度Tc没有大幅下降,超导临界电流Jc得到了一定提升.在温度为5K,外加垂直磁场为3T的条件下,样品的临界电流密度最大达到2.7×105Acm-2.同时上临界场Hc2在超导转变温度附近对于温度的变化曲线斜率-dH/dT也有一定的提高.
参考文献
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