应用自组装膜吸附钯的活化方法,在SiO2/Si平面基板表面化学沉积NiMoP阻挡层.应用XRF、XRD、SEM以及四探针等方法探讨了镀液中钼酸根浓度、温度及pH值对NiMoP镀层的影响.结果表明,镀层中Mo与P含量互相制约;随钼酸钠浓度上升,化学镀NiMoP的沉积速度逐渐降低,镀层结构由非晶态向晶态转变,镀层电阻率降低;随镀液温度上升,NiMoP镀层的沉积速度逐渐升高;镀液pH值在一定范围内上升可提高NiMoP镀层的沉积速度,镀层的晶粒尺寸与沉积速度有相同的变化趋势.
参考文献
| [1] | Lin JH.;Chiu SY.;Lee TL.;Tsai CM.;Chen PH.;Lin CC.;Feng MS.;Kou CS.;Shih HC.;Tsai YY. .Palladium seeding on the tantalum-insulated silicon oxide film by plasma immersion ion implantation for the growth of electroless Copper[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,2000(0):592-596. |
| [2] | Yosi Shacham-Diamand;Valery Dubin M .[J].Microelectronic Engineering,1997,33:47. |
| [3] | Wu Y;Wan C C;Wang Y Y .[J].Journal of Electronic Materials,2005,34(05):541. |
| [4] | 韦顺文 .微细凹槽镀铜研究[D].中南大学,2004. |
| [5] | Shacham-Diamand Y;Sverdlv Y .[J].Microelectronic Engineering,2000,50:525. |
| [6] | Tetsuya Osaka;Nao Takano;Tetsuya Kurokawa et al.[J].Electrochemical and Solid-State Letters,2002,5(01):7. |
| [7] | 徐丽娜,徐鸿飞,周凯常,徐爱群,岳增全,顾宁,张海黔,刘举正,陈坤基.自组装膜吸附钯的化学镀前活化研究[J].物理化学学报,2002(03):284-288. |
| [8] | 卢忠铭,高岩,郑志军.镀液pH值和钼酸根浓度对化学镀Ni-Mo-P沉积速度及镀层结构的影响[J].中国表面工程,2005(02):44-49. |
| [9] | 姜晓霞;沈伟.化学镀理论与实践[M].Beijing:Defence Industrial Press,2000:103. |
| [10] | 张冀;刘长海;王娅莉 .[J].表面技术,2003,32(02):50. |
| [11] | <薄膜工艺>编译校组.薄膜工艺[M].北京:科学出版社,1972:195. |
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