掺杂对还原气氛烧成BTZ陶瓷结构及介电性能影响的研究

功能材料, 2004, 35(z1): 1500-1503.

掺杂对还原气氛烧成BTZ陶瓷结构及介电性能影响的研究

王森 ^1, , 纪箴 ^2, , 黄运华 ^3, , 顾友松 ^4, , 周成 ^5, , 张跃 ^6,

1.北京科技大学,材料科学与工程学院,固体电解质冶金测试技术国家专业实验室,北京,100083

2.北京科技大学,材料科学与工程学院,固体电解质冶金测试技术国家专业实验室,北京,100083

3.北京科技大学,材料科学与工程学院,固体电解质冶金测试技术国家专业实验室,北京,100083

4.北京科技大学,材料科学与工程学院,固体电解质冶金测试技术国家专业实验室,北京,100083

5.北京科技大学,材料科学与工程学院,固体电解质冶金测试技术国家专业实验室,北京,100083

6.北京科技大学,材料科学与工程学院,固体电解质冶金测试技术国家专业实验室,北京,100083

基金项目: 教育部留学回国人员科研启动基金国家自然科学基金(50325209,50172006)

关键词： BTZ , 掺杂 , 介温曲线 , 介电常数

Study on dopant effect on structure and dielectric property of BTZ ceramic sintered in reducing atmosphere

研究了V2O5与Y2O3共掺杂对BaTi0.85Zr0.15O3(BTZ)陶瓷结构和性能的影响.发现适量的V2O5掺杂与Y2O3共同作用,在保证较高常温介电常数的情况下,使材料的介温曲线更加平缓,移峰作用明显.通过控制二者的含量,可以在1280℃烧出结构致密、介电性能和绝缘性能良好的陶瓷材料.Y2O3能够促进材料烧结,提高材料的烧成收缩.在还原气氛烧成的条件下,部分V5+可以进入钛酸钡晶格,起到受主掺杂的功效,中和材料中的自由电子,增加V2O5掺杂的数量可以有效地提高材料的绝缘电阻.

参考文献

[1]	Kanai H.;Nakamura SI.;Yamashita Y.;Furukawa O. .EFFECTS OF B2O3 AND SIO2 ON DIELECTRIC PROPERTIES AND RELIABILITY OF A LEAD-BASED RELAXER DIELECTRIC CERAMIC[J].Journal of Materials Science,1996(6):1609-1614.
[2]	Sea-Fue Wang;Thomas C. K. Yang;Yuh-Ruey Wang;Yoshirou Kuromitsu .Effect of glass composition on the densification and dielectric properties of BaTiO{sub}3 ceramics[J].Ceramics International,2001(2):157-162.
[3]	Detlev F.K. Hennings .Dielectric materials for sintering in reducing atmospheres[J].Journal of the European Ceramic Society,2001(10/11):1637-1642.
[4]	吕文中;汪小红.电子材料物理[M].北京:电子工业出版社,2002:87.
[5]	王森,纪箴,张跃,周成.MLCC用高介电常数陶瓷介质材料的研究现状及发展趋势[J].材料与冶金学报,2003(03):227-231.
[6]	Spang I;Safari Ahmad;Burn Ian.Properties of Donor Doped BaTi(Mn)O3+ SiO2 Sintered in Reducing Atmospheres[A].Ceramic Transactions,1998:333-346.

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