利用SEM,TEM对TiC粒子增强的钛基复合材料的强化方式进行研究,得出:当反应界面厚度控制在0.5μm～2μm时,界面将起到良好的传递载荷的作用,使粒子承载.当粒子的粒度较小(dP<1μm),Orowan强化机制将参与材料强化,而当粒子较大时(dP>1μm),阻碍位错滑移.由于两相之间的不均匀变形,在界面形成较高的应力集中,阻碍形变,并可产生形变位错源,使基体中位错增殖,形成位错胞,强化基体.当扩展裂纹遇到TiC粒子,使扩展路径发生偏转,增加裂纹扩展能量,提高了材料的强度.
参考文献
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