采用化学共沉淀法制备了掺杂稀土铕的ATO纳米粉体.运用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等测试方法对ATO粉体进行表征,研究了制备工艺对粉体粒径和导电性能的影响,发现铕的摩尔掺杂比在0.5％～1％之间,600 ～700℃热处理温度下得到粉体的性能最佳,粉体的电阻率为243 Ω.cm,颗粒尺寸为33.6 nm.掺杂前粉体的电阻率和颗粒尺寸分别为181 Ω·cm和41.4 nm,掺杂后分别为243 Ω·cm和33.6 rm.结果显示掺杂铕会使粉体的电阻率增加,但也能降低粒径,减少团聚.
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