Ce:YIG磁光薄膜电子结构的计算

功能材料, 2000, 31(5): 488-490.

Ce:YIG磁光薄膜电子结构的计算

胡华安 ^1, , 王坚红 ^2, , 段志云 ^3, , 何华辉 ^4,

1.军事经济学院,湖北,武汉,430035

2.军事经济学院,湖北,武汉,430035

3.军事经济学院,湖北,武汉,430035

4.华中理工大学,湖北,武汉,430074

基金项目: 中国科学院资助项目(5702006)

关键词： DV-Xα方法 , YIG磁光薄膜 , 磁光效应

The Calculation of Electronic Structure of Ce-YIG Magneto-Optic Thin Film

采用DV-Xα方法计算了YIG、Bi-YIG及Ce-YIG磁光薄膜的电子结构,在能态密度的基础上,得出了导致磁光效应的两种电荷转移跃迁.对Ce3+的掺入,极大地增大了跃迁的振子强度;Ce5d、Ce4f与Fe3d形成具有较大自旋一轨道相互作用的耦合轨道;Ce3+的掺入产生了新的跃迁,它们是Ce-YIG的磁光效应增大的原因.

参考文献

[1]	Gomi M;Furuyama H;Abe M .[J].Journal of Applied Physics,1991,70(11):7065-7067.
[2]	Xu Y;Yang J H;Zhang G Y .[J].Journal of Physics:Condensed Matter,1993,5:8927-8934.
[3]	胡华安;何华辉 .[J].华中理工大学学报,1996,24(09):104-106.

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The Calculation of Electronic Structure of Ce-YIG Magneto-Optic Thin Film

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