研究了Ga含量对Al-Zn-In-Mg-Ga-Mn牺牲阳极性能的影响规律及其在干湿交替条件下的活化机制.结果表明:Ga含量在0.02%(质量分数)时,Al-Zn-In-Mg-Ga-Mn牺牲阳极在干湿交替环境下综合电化学性能最佳.金相组织观察和腐蚀产物EDS分析得出,随着Ga含量的增加,Ga在晶界处富集,由于Ga的活化作用,晶界处优先溶解造成晶粒的脱落,电流效率急剧下降;活性元素Ga和In在溶解反应时发生共同沉积现象,破坏了基体表面氧化膜的完整性和致密性,有效地维持了阳极的活性溶解.
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