热处理参数对LZO膜外延生长的影响

稀有金属材料与工程, 2016, 45(10): 2683-2686.

热处理参数对LZO膜外延生长的影响

于泽铭 ^1, , 王耀 ^2, , 金利华 ^3, , 李成山 ^4, , 张平祥 ^5,

1.西北有色金属研究院,陕西西安,710016

2.西北有色金属研究院,陕西西安,710016

3.西北有色金属研究院,陕西西安,710016

4.西北有色金属研究院,陕西西安,710016

5.西北有色金属研究院,陕西西安,710016

基金项目: 陕西省创新团队项目(2013KCT-07) 国际合作项目(2012DFAS0780)

关键词： La2Zr2O7(LZO)缓冲层 , 化学溶液沉积技术 , 外延生长

Influence of Heat-treatment Parameters on the Epitaxial Growth of LZO Film Deposited by CSD Process

Keywords： La2Zr2O7 (LZO) buffer layer , chemical solution deposition , epitaxial growth

研究了热处理参数对LZO膜外延生长的影响.结果显示实验条件范围内,升高热处理温度、延长热处理时间和加快升温速度有利于提高(400) LZO衍射峰的强度.相对于热处理温度、热处理时间和升温速度,LZO膜的织构类型对热处理时的氧分压十分敏感,氧分压直接影响到能否制备出具有单一织构成分的LZO膜.进一步分析显示,传统的形核生长理论可以很好地解释热处理温度、热处理时间和升温速度对LZO膜外延生长的影响.增加氧分压对LZO膜的外延生长存在双重作用,一方面提高氧分压可以降低膜中的积碳量,有利于LZO晶粒的长大,但另一方面,提高氧分压降低膜中的积碳后将导致对自发形核长大过程的抑制作用减弱,最终使得LZO膜不具有单一的立方织构.因此,更合理地控制/改变不同热处理阶段的氧分压才能在改善LZO膜生长动力学的同时又不影响其外延生长.

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