为充分利用太阳光的短波部分,将AlxGa1-xAs设计为电池的又一个光伏工作层,并引入固定负电荷,建立界面感应势垒,形成MIp+-AlGaAs感应结,有效降低界面对光生电子的复合.以制作工艺简单的p+-AlGaAs/p-GaAs界面,将感应结与p/n-GaAs部分连接起来,构成新型高效率复合结构MIp+-Al0.3Ga0.7As/p-n-n+-GaAs太阳电池.其I-Ⅴ特性理论研究结果表明,选择合适的负电荷面密度数和Al0.3Ga0.7As层的掺杂浓度,即:建立合适高度的感应势垒,可显著降低界面复合速度近8个数量级.优化设计得到的整个电池的效率为31.5%,较传统的窗口层电池有明显提高.
参考文献
| [1] | 雷永泉.新能源材料[M].天津:天津大学出版社,2002 |
| [2] | 涂洁磊,林理彬,陈庭金,袁海荣.MI-AlxGa 1-xAs/GaAs太阳电池中界面势的构成及其界面复合分析[J].太阳能学报,2002(04):445-449. |
| [3] | 陈庭金,刘祖明,涂洁磊.多晶硅太阳电池的表面和界面复合[J].太阳能学报,2000(02):133-139. |
| [4] | Tu Jie Lei.Theoretical Investigation of MIp+-AlxGa1-x As/P-N-N+-GaAs Tandem Solar Cell[A].,2000 |
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