采用传统垂直布里奇曼法和Cd补偿垂直布里奇曼法,分别生长出两根尺寸为 30mm×130mm的Ccd0.9Zn0.1Te晶锭.测试了晶体的结晶质量、成分分布、位错腐蚀坑密度(EPD)、红外透过率及电阻率.结果表明,Cd补偿垂直布里奇曼法生长的晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高.这说明Cd补偿垂直布里奇曼法是一种生长高阻值CZT晶体的优良方法.
参考文献
| [1] | Fiederle M.;Meinhardt J.;Rogalla M.;Benz KW.;Feltgen T. .State of the art of (Cd,Zn)Te as gamma detector[J].Journal of Crystal Growth,1999(3):635-640. |
| [2] | 刘克岳,王金义,张学仁,赵宏,张健平.HgCdTe外延用的CdZnTe衬底研制[J].半导体技术,2000(02):38-42. |
| [3] | Fougeres P.;Hageali M.;Koebel JM.;Hennard G.;Zumbiehl A. Siffert P.;Benkaddour M.;Chibani L. .Zinc segregation in HPB grown nuclear detector grade Cd1-xZnxTe[J].Journal of Crystal Growth,1999(3):641-645. |
| [4] | Petersk et al.[J].Crystal Research and Technology,1990,25:1107. |
| [5] | 杨炬,桑文斌,钱永彪,史伟民,王林军,闵嘉华,刘冬华.Cd1-xZnxTe熔体平衡蒸汽压的热力学研究[J].上海大学学报(自然科学版),2000(01):29-34. |
| [6] | Song W;Yu M;Wu W .[J].Journal of Crystal Growth,1988,86:127. |
| [7] | Brossat T;Raymond F .[J].Journal of Crystal Growth,1985,72:280. |
| [8] | 神保孝志.光电子学[M].北京:科学出版社,2001:98. |
| [9] | Butler L F .[J].IEEE Transactions on Nuclear Science,1992,39:605. |
| [10] | Bulter L F;Doty F P;Apotovsky B .[J].Materials Science and Engineering,1993,B16:291. |
| [11] | 钱永彪.分压控制下高纯、高x值CdZnTe晶体气相生长的研究[J].红外技术,1998(06):17. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%