对一种黑心片样品进行了分析.在确认黑心区为低少子寿命区的基础上,发现其电阻率明显偏高;发现黑心区经Secco刻蚀后,表面密布重叠圆形蚀坑,但与普通位错蚀坑有明显特征性区别;从其密度、形状与出现条件来看,它与电子半导体业中普遍报告的氧化堆垛层错(OSF)也不一致;进一步发现黑心区经Sirtle刻蚀后,表面呈现典型的大小明显不同的两种漩涡缺陷蚀坑,其密度明显低于上述Secco蚀坑.根据所得结果推测:黑心区主要密布一种性质上与普通位错相近,而所造成晶格畸变特征与范围不同于普通位错的晶格缺陷,它不属于已知的OSF微缺陷,而可能是一种由结晶生长过程中过饱和氧沉淀诱发形成的位错环;此外,黑心区还含有少量漩涡缺陷.
参考文献
| [1] | 李剑,汪义川,李华,周豪浩,温建军,施正荣.单晶硅太阳电池组件的热击穿[J].太阳能学报,2011(05):690-693. |
| [2] | 钱家骏,褚一鸣,范缇文,林兰英.原生直拉无位错硅单晶中漩涡缺陷的观察[J].半导体学报,1984(04):368. |
| [3] | 周剑,辛超,魏秀琴,周潘兵,周浪,张运锋,张美霞.抛光腐蚀深度对多晶硅片抛光与位错刻蚀效果的影响[J].太阳能学报,2013(02):213-217. |
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