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以ZnO粉末为主要原料,添加TiO2、Bi2O3、MnO2、Co2 O3、Sb2O3为组元,在不同烧结温度(1100 ~ 1250℃)与保温时间(1.0~2.5 h)下制备ZnO压敏陶瓷.采用SEM观察陶瓷形貌,利用压敏电阻直流参数仪测试陶瓷的电学性能,研究烧结温度与保温时间对陶瓷结构和性能的影响.结果表明,随烧结温度升高,压敏电压、漏电流逐渐降低,而非线性系数先减小后增加.制备ZnO压敏陶瓷的适宜烧结温度与保温时间分别为1250℃、1h,压敏电压为17.0 V/mm、漏电流为0.014 mA、非线性系数为14.2,陶瓷内部晶粒可长大至128.7 μm.

参考文献

[1] 徐廷献;沈继跃;薄占满.电子陶瓷材料[M].天津:天津大学出版社,1993:325-339.
[2] David R. Clarke .Varistor ceramics[J].Journal of the American Ceramic Society,1999(3):485-502.
[3] 王琴,秦勇,段雷,李志祥,李亚丽,李勇,许高杰.溶液包裹法制备低压氧化锌压敏陶瓷[J].稀有金属材料与工程,2007(z2):181-183.
[4] 刘桂香,徐光亮,罗庆平.自蔓延燃烧法合成ZnO粉体及其压敏电阻的制备[J].硅酸盐学报,2006(09):1055-1059.
[5] 禹争光,杨邦朝.ZnO压敏电阻界面导电特性研究[J].功能材料,2004(06):709-710,715.
[6] 胡军,龙望成,何金良,刘俊.ZnO压敏电阻残压比的影响因素分析[J].高电压技术,2011(03):555-561.
[7] Santos P.A;Maruchin S;Menegoto G F et al.The Sintering time influence on the electrical and microstructural characteristics of SnO2 Varistor[J].Materials Letters,2006,60(12):1554-1557.
[8] 严继康,甘国友,陈海芳,张小文,孙加林.烧结温度对TiO2压敏陶瓷结构和性能的影响[J].压电与声光,2008(03):332-334.
[9] Nahm C W .Effect of sintering temperature electrical properties of ZnO doped with Pr-Co-Cr-La[J].Ceramics International,2008,34(6):1521-1525.
[10] Dong Xu;Liyi Shi;Zhenhong Wu .Microstructure and electrical properties of ZnO-Bi_2O_3 -based varistor ceramics by different sintering processes[J].Journal of the European Ceramic Society,2009(9):1789-1794.
[11] Elfwing M.;Osterlund R. .Differences in Wetting Characteristics of Bi_2O_3 Polymorphs in ZnO Varistor Materials[J].Journal of the American Ceramic Society,2000(9):2311-2314.
[12] 何忠伟,徐政,孙丹峰.TiO2掺杂对ZnO压敏电阻低压化过程的影响[J].硅酸盐学报,2004(09):1161-1164.
[13] Mendelson M L .Average grain sized in polyerystalline ceramies[J].Journal of the American Ceramic Society,1969,52(8):443-446.
[14] Stueki F;Greute F .Key role of oxygen at zinc oxide varistor grain boundaries[J].Applied Physics Letters,1990,57(5):446-448.
[15] 孔慧,刘宏玉,蒋冬梅,石旺舟,马学鸣.高能球磨法制备高电位梯度的ZnO压敏电阻[J].电子元件与材料,2007(01):11-13.
[16] S. BERNIK;N. DANEU;A. RECNIK .Inversion boundary induced grain growth in TiO_2 or Sb_2O_3 doped ZnO-based varistor ceramics[J].Journal of the European Ceramic Society,2004(15/16):3703-3708.
[17] 侯清健,徐国跃,赵毅,唐敏.烧结温度和热处理对ZnO压敏陶瓷的影响[J].电瓷避雷器,2004(05):36-38,42.
[18] 郭汝丽,方亮,周焕福,覃远东.低温烧结ZnO压敏陶瓷研究进展[J].电子元件与材料,2011(10):80-82.
[19] 赵鸣 .ZnVSb基压敏电阻陶瓷的低温烧结及电性能研究[D].西北工业大学,2007.
[20] Sato Y;Ohbuchi Y;Kawahara T et al.Ultrasonic electronics.evaluation of Sb2 O3-doped ZnO varistors by photoacoustic spectroscopy[J].Japanese Journal of Applied Physics,2002,41(5):3379-3382.
[21] 万帅 .低压ZnO压敏电阻的低温烧结及水基流延制备片式压敏电阻器的研究[D].华中科技大学,2010.
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