磁通量子比特qubit信号强度随势垒偏置电压的变化

低温物理学报 , 2011, 33(1): 15-19.

1.南京大学超导电子学研究所,江苏南京,210093

2.南京大学超导电子学研究所,江苏南京,210093

3.南京大学固体微结构国家实验室,江苏南京,210093

4.南京大学超导电子学研究所,江苏南京,210093

5.南京大学超导电子学研究所,江苏南京,210093

6.南京大学超导电子学研究所,江苏南京,210093

7.南京大学固体微结构国家实验室,江苏南京,210093

8.南京大学超导电子学研究所,江苏南京,210093

基金项目: 国家自然科学基金(10874074;200802840031) 科技部重大基础研究计划"973计划"(2006CB601006;2007CB10404) 教育部博士点基金(200802840031)

RELATIONSHIP BETWEEN FLUX QUBIT SIGNAL MAGNITUDE AND BARRIER BIASVOLTAGE

在20mK极低温下,测量了超导磁通量子比特的环流方向,并测到量子比特(qubit)信号.通过改变磁通量子比特的势垒高度,得到qubit信号强度随势垒高度的变化的实验数据并建立理论模型解释了实验现象.

[1]	Makhlin Y.;Shnirman A.;Schon G. .Quantum-state engineering with Josephson-junction devices [Review][J].Reviews of Modern Physics,2001(2):357-400.

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