SiC边界层陶瓷电容器的研制

稀有金属材料与工程, 2007, 36(z1): 442-444.

SiC边界层陶瓷电容器的研制

秦丹丹 ^1, , 乔建房 ^2, , 邵刚 ^3, , 王海龙 ^4, , 许红亮 ^5, , 卢红霞 ^6, , 张锐 ^7,

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关键词： SiC , 边界层电容器 , 介电常数 , 介质损耗

Study on SiC-Based Grain Boundary Barrier Layer Capacitor

选用α-SiC(4～10 μm)作为主晶相,SiO2-CuO作为晶界绝缘层,以两步包裹法制备SiC-SiO2-CuO复合颗粒.干压成型后,在不同温度下常压烧结制得边界层电容器.采用SEM、XRD及密度测试等手段对烧结品进行性能分析.结果发现:1300 ℃为最佳烧结温度,该温度下最高介电常数(ε)为713 100;电容器具有正的介温系数,介电常数在50 ℃附近急剧增大,而介质损耗(tanδ)在该温度点急剧降低,60 ℃之后两者均趋于稳定,这可能与界面处产生的空间电荷极化有关;电容器具有强烈的频率色散效应.

参考文献

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