有机薄膜晶体管钛/金电极的刻蚀工艺研究

功能材料, 2010, 41(z2): 361-364.

有机薄膜晶体管钛/金电极的刻蚀工艺研究

严剑飞 ^1, , 吴志明 ^2, , 太惠玲 ^3, , 李娴 ^4, , 付嵩琦 ^5,

1.电子科技大学,光电信息学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

2.电子科技大学,光电信息学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

3.电子科技大学,光电信息学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

4.电子科技大学,光电信息学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

5.电子科技大学,光电信息学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

基金项目: 中央高校基本科研业务费专项资助项目(ZYGX2009J052) 总装预研基金资助项目(9140A23060510DZ02)

关键词：刻蚀 , 有机薄膜晶体管 , 钛/金 , 最佳工艺条件

Investigation of the etching process of titanium/aurum electrodes of the organic thin film transistor

采用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀和湿法刻蚀的方法,分别刻蚀有机薄膜晶体管(OTFT)的钛/金薄膜电极.改变刻蚀的工艺条件,研究了不同的刻蚀工艺对OTFT器件性能的影响,并对刻蚀结果进行了比较与分析.结果表明,ICP干法刻蚀不适合用来刻蚀OTFT器件的钛/金电极,而湿法刻蚀工艺可用于刻蚀关键尺寸为5μm及其以上的钛/金电极,其最佳工艺条件分别是n(HF):n(HNO3):n(H2O)=1:1:5和n(KI):n(I2):n(H2O)=4:1:40.

参考文献

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