SiC电子输运的蒙特卡罗模拟

功能材料, 2007, 38(4): 542-545.

1.华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074

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基金项目: 教育部跨世纪优秀人才培养计划(NCEF-04-0702)

Monte Carlo simulation of electron transport in silicon carbide

采用了Monte Carlo方法研究了2H-、4H-和6H-SiC的电子输运特性.在模拟中,采用动量弛豫率近似的方法确定散射角,显著压缩散射次数,并用高效的新查表法确定自由飞行时间,相对于阶梯值的自散射方法,完全消除了自散射,大量节省cpu时间.

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