退火温度对镶嵌于SiO2膜中的Ge纳米晶结构的影响

人工晶体学报, 2009, 38(1): 143-147.

退火温度对镶嵌于SiO2膜中的Ge纳米晶结构的影响

张佳雯 ^1, , 高斐 ^2, , 晏春愉 ^3, , 孙杰 ^4, , 权乃承 ^5, , 刘伟 ^6, , 方晓玲 ^7,

1.陕西师范大学物理与信息技术学院,西安,710062

2.陕西师范大学物理与信息技术学院,西安,710062

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5.陕西师范大学物理与信息技术学院,西安,710062

6.陕西师范大学物理与信息技术学院,西安,710062

7.陕西师范大学物理与信息技术学院,西安,710062

基金项目: 陕西省自然科学基金(691150)

关键词： Ge纳米晶 , 磁控溅射 , 退火 , SiO2膜 , 声子限域模型

Effect of Annealing Temperature on the Structure of Ge Nanocrystals Embedded in SiO2 Film

采用磁控溅射及退火的方法制备了含Ge纳米晶的SiO2复合膜,应用拉曼散射和X射线衍射技术研究不同退火温度下的Ge纳米晶结构.结果表明:Ge纳米晶的结晶温度约为750 ℃.运用声子限域模型(RWL model)对样品的拉曼散射光谱进行拟合,确定出样品中Ge纳米晶的尺寸.通过XRD谱计算复合膜的内部压应力,得出由其引起的拉曼峰位的蓝移量,得出结论:压应力是造成拉曼模拟曲线与实验曲线峰位偏离的主要原因.

参考文献

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