SiC单晶片的超精密加工

功能材料, 2006, 37(1): 70-72.

1.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

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基金项目: 国家科技攻关项目(2001AA311080) 中国科学院资助项目(60025409;50472068)

High-prcesion processing of silicon carbide

半导体晶片的加工质量和精度,直接影响到器件的性能.本文提出了一种超精密加工SiC晶片的方法,并详细论述了化学机械抛光的原理.加工后的SiC单晶片,平整度为±3μm,粗糙度＜5nm,且应力较小.

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[2]	徐现刚,胡小波,王继扬,蒋民华.大直径6H-SiC单晶的生长[J].人工晶体学报,2003(05):540.
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