以(10(1)5)面为籽晶的6H-SiC单晶生长与缺陷研究

人工晶体学报, 2010, 39(2): 287-290.

以(10(1)5)面为籽晶的6H-SiC单晶生长与缺陷研究

高玉强 ^1, , 彭燕 ^2, , 李娟 ^3, , 陈秀芳 ^4, , 胡小波 ^5, , 徐现刚 ^6, , 蒋民华 ^7,

1.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

2.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

3.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

4.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

5.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

6.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

7.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

基金项目: 973国家重大科学研究计划项目(2009CB930503) 教育部科技创新工程重大项目(707039) 国家自然科学基金(50802053;50721002)

关键词：升华法 , SiC单晶 , 微管 , 层错

Growth and Defect Characterization of 6H-SiC Single Crystal Seeded (1015) Plane

本文以升华法实现了以(10(1)5)面为籽晶的6H-SiC单晶扩径生长,获得最大直径达33 mm的6H-SiC单晶.采用光学显微镜观察晶体纵切片,发现源于包裹体的沿生长方向延伸的微管发生转弯现象,转向后在(0001)面内延伸,同时籽晶内沿c轴延伸的微管也终止于生长界面.通过光学显微镜观察单晶生长表面形貌,发现(101n)面生长,随着n的增大层错密度逐渐减小,这与横切片的腐蚀结果相对应;随着微管的终止和层错的减少得到了无微管的高质量单晶区.

参考文献

[1]	Tairov Y M;Tsvetkov V F .Investigation of Growth Processes of Ingots of Silicon Carbide Single Crystals[J].Journal of Crystal Growth,1978,43:209-212.
[2]	Neudeck P.G.;Powell J.A. .Performance limiting micropipe defects in silicon carbide wafers[J].IEEE Electron Device Letters,1994(2):63-65.
[3]	Takahashi J.;Katsuno M.;Shinoyama S.;Ohtani N. .SUBLIMATION GROWTH OF 6H- AND 4H-SIC SINGLE CRYSTALS IN THE [1(1)OVER-BAR-00] AND [11(2)OVER-BAR-0] DIRECTIONS[J].Journal of Crystal Growth,1997(3):229-240.
[4]	Shiomia H;Kinoshitaa H;Furushoa T et al.Crystal Growth of Micropipe Free 4H-SiC on 4H-SiC{0338} Seed and High-purity Semi-insulating 6H-SiC[J].Journal of Crystal Growth,2006,292:188-191.
[5]	Knippenberg W F .Growth Phenomena in Silicon Carbide[J].Philips Research Reports,1963,18:257.
[6]	Li J;Filip O;Epelbaum BM;Xu X;Bickermann M;Winnacker A .Growth of 4H-SiC on rhombohedral (01(1)over-bar-4) plane seeds[J].Journal of Crystal Growth,2007(1):41-49.
[7]	徐现刚,胡小波,王继扬,蒋民华.大直径6H-SiC单晶的生长[J].人工晶体学报,2003(05):540.
[8]	杨莺,陈治明.湿法腐蚀工艺研究碳化硅晶体缺陷表面形貌[J].人工晶体学报,2008(03):634-638.
[9]	Frank F C .Capillary Equilibria of Dislocated Crystal[J].Acta Crystallographica,1951,4:497-501.
[10]	Momeen;Khan M Y .Stacking Fault Energy of Silicon Carbide (SiC) Polytypes[J].Crystal Research and Technology,1995,30:1127.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网