旋转半径对KDP晶体生长过程影响的数值模拟研究

人工晶体学报, 2015, 44(10): 2721-2727.

旋转半径对KDP晶体生长过程影响的数值模拟研究

张小莉 ^1, , 程旻 ^2, , 康道远 ^3, , 杨森 ^4, , 刘希夏 ^5,

1.重庆大学动力工程学院,低品位能源利用技术及系统教育部重点实验室,重庆400030

2.重庆大学动力工程学院,低品位能源利用技术及系统教育部重点实验室,重庆400030

3.重庆大学动力工程学院,低品位能源利用技术及系统教育部重点实验室,重庆400030

4.重庆大学动力工程学院,低品位能源利用技术及系统教育部重点实验室,重庆400030

5.重庆大学动力工程学院,低品位能源利用技术及系统教育部重点实验室,重庆400030

基金项目: 中央高校基本科研业务费(CDJZR13140015)

关键词： KDP晶体 , 数值模拟 , 旋转半径 , 表面过饱和度 , 均方差

Numerical Simulation Research of the Crystal Growth Process of KDP with Different Rotation Radius

Keywords： KDP crystal , numerical simulation , rotation radius , surface supersaturation , standard deviation

相比传统KDP晶体同心旋转的生长方式,本文利用数值模拟的方法,针对不同旋转半径和不同籽晶摆放方式对KDP晶体生长过程中溶液流动和物质输运的影响进行研究,以寻找提高晶体表面过饱和度及其均匀性的方法.计算结果表明:随着旋转半径从0 cm增大到3 cm,晶面时均过饱和度整体也逐渐增大,柱面平均均方差逐渐减小,锥面平均均方差先增大后减小;当晶体摆放方式采用棱边迎流时,晶体表面时均过饱和度相比柱面迎流略有下降,但其平均均方差最小,有利于减少包裹体的产生.

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