脉冲激光沉积法制备Pt薄膜的研究

功能材料, 2009, 40(6): 922-925.

脉冲激光沉积法制备Pt薄膜的研究

李理 ^1, , 朱俊 ^2, , 李扬权 ^3, , 经晶 ^4, , 周文 ^5, , 罗文博 ^6, , 李言荣 ^7,

1.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

2.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

3.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

4.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

5.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

6.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

7.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

基金项目: 国家重点基础研究发展规划(973计划)(61363) 国家自然科学基金(50772019)

关键词：脉冲激光沉积(PLD) , Pt薄膜 , 电学性能 , 表面形貌 , 蓝宝石衬底

Preparation for Pt thin films by pulsed laser deposition

采用脉冲激光沉积技术在(0001)取向的蓝宝石基片上外延生长了Pt单晶薄膜,研究了沉积温度和激光能量对Pt薄膜的晶体结构,表面形貌及电学性能的影响规律.X射线衍射(XRD)分析结果表明,在沉积温度650℃、激光脉冲频率1Hz和激光能量280mJ的条件下,制备得到的Pt(111)单晶薄膜,其(111)面ω摇摆曲线半高宽(FWHM)仅为0.068°.原子力显微镜(AFM)分析表明外延的Pt薄膜表面具有原子级平整度,其表面均方根粗糙度(RMS)约为1.776nm.四探针电阻测试结果显示薄膜方阻为1/962Ω/□,满足铁电薄膜的制备工艺对Pt底电极的要求.

参考文献

[1]	李建康,姚熹.在LaNiO3-Pt复合电极上Pb（Zr,Ti）O3铁电薄膜及其成分梯度薄膜的制备和研究[J].无机化学学报,2005(05):757-762.
[2]	Arisumi Y K et al.[J].Integrated Ferroelectrics,2001,39:n1-n4.
[3]	Menou N;Funakubo H .[J].Journal of Applied Physics,2007,102:114105.
[4]	Lee S K .[J].Applied Physics Letters,2006,88:062909.
[5]	Hwang K S;Manabe T;Nagshama T et al.[J].Thin Solid Films,1999,347:106-111.
[6]	Nagaraj B.;Ramesh R.;Aggarwal S. .Influence of contact electrodes on leakage characteristics in ferroelectric thin films[J].Journal of Applied Physics,2001(1):375-382.
[7]	Wang Z;Chu J;Maeda R et al.[J].Thin Solid Films,2002,416:66-71.
[8]	Lee W J;Kim Y M;Kim H G .[J].Thin Solid Films,1995,269:75-79.
[9]	卢德新;李佐宜;刘建设等.[J].物理学报,1994,43(02):1932-1936.
[10]	Chen C L;Shen J;Chen S Y et al.[J].Applied Physics Letters,2001,78:652.
[11]	Chen C L;Feng H H;Zhang Z et al.[J].Applied Physics Letters,1999,75:412.
[12]	Jie WJ;Zhu J;Qin WF;Wei XH;Xiong J;Zhang Y;Bhalla A;Li YR .Enhanced dielectric characteristics of preferential (111)-oriented BZT thin films by manganese doping[J].Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal,2007(9):2854-2857.
[13]	Li J F;Takagi K;Terakubo N et al.[J].Applied Physics Letters,2001,79:2441.
[14]	Klenov S S;Keane D O;Scan P et al.[J].Applied Physics Letters,2006,88:131914.
[15]	Taylor DJ.;Larsen PK.;Geerse J. .FATIGUE OF ORGANOMETALLIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITED PBZRXT1-XO3 THIN FILMS WITH RU/RUO2 AND PT/PT ELECTRODES[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,1995(2):221-230.
[16]	Xu X M;Liu J;Yuan Z et al.[J].Applied Physics Letters,2008,92:102102.
[17]	Yong C S;Chul L H;Jae L W et al.[J].Japanese Journal of Applied Physics,1995,34(09):5220-5223.

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