微量Bi2O3对ZnVSnO基压敏陶瓷显微结构和电学非线性的影响

功能材料与器件学报 , 2012, 18(6): 459-472.

微量Bi2O3对ZnVSnO基压敏陶瓷显微结构和电学非线性的影响

赵鸣 ^1, , 吴晓亮 ^2, , 李海松 ^3, , 王聚云 ^4, , 张锰 ^5,

1.内蒙古自治区白云鄂博矿多金属资源综合利用重点实验室,内蒙古包头014010;内蒙古科技大学材料与冶金学院内蒙古包头014010

2.内蒙古科技大学材料与冶金学院内蒙古包头014010

3.内蒙古科技大学材料与冶金学院内蒙古包头014010

4.内蒙古科技大学材料与冶金学院内蒙古包头014010

5.内蒙古科技大学材料与冶金学院内蒙古包头014010

基金项目: 内蒙古自治区创新团队"冶金与资源利用"(83101002)基金

关键词： ZnO-V2O5-SnO2基压敏陶瓷 , Bi2O3 , 显微结构 , 电学非线性

Effect of minor Bi2O3 doping on the microstructure and electrical nonlinearity of the ZnVSnO based varistor ceramics

采用传统混合氧化物工艺在800℃经4小时烧结制备了0.01-0.2mol％ Bi2O3掺杂的ZnO-V2O5-SnO2 (ZnVSnO)基压敏陶瓷,采用电子天平、SEM、XRD和I-V测试仪研究了其密度、显微结构和电性能随Bi2O3含量的变化.结果表明:随Bi2O3含量升高,ZnVSnO基陶瓷密度变化不大,相对密度均超过了98％；样品均由ZnO主晶相和少量的Zn2SnO4、Bi2 Sn2 O7第二相组成,但平均晶粒直径从2.13μm降到1.54μm,样品的压敏场强和非线性系数随之升高.当Bi2O3掺杂量为0.2mol％时样品性能最优,其压敏场强、非线性系数和漏电流密度分别为2842V/mm、51.2和0.0925mA/cm2.

参考文献

[1]	Choon-W. Nahm .Varistor properties and aging behavior of ZnO-V_(2)O_(5)-Mn_(3)O_(4) ceramics with sintering process[J].Journal of Materials Science. Materials in Electronics,2011(8):1010-1015.
[2]	赵鸣,王卫民,高峰,张慧君,田长生.合成工艺对ZnVSb基压敏陶瓷性能的影响[J].功能材料与器件学报,2007(01):29-34.
[3]	赵鸣 .ZnVSb基压敏电阻陶瓷的低温烧结及电性能研究[D].西北工业大学,2007.
[4]	S. Bernik;N. Daneu .Characteristics of SnO_2-doped ZnO-based varistor ceramics[J].Journal of the European Ceramic Society,2001(10/11):1879-1882.
[5]	Choon-W. Nahm .Effect of dopant (Al, Nb, Bi, La) on varistor properties of ZnO-V_2O_5-MnO_2-Co_3O_4-Dy_2O_3 ceramics[J].CERAMICS INTERNATIONAL,2010(3):1109-1115.
[6]	Choon-W. Nahm .Effect of Dy_(2)O_(3) addition on microstructure, electrical properties, and aging behavior of ZnO-V_(2)O_(5)-MnO_(2)-CoO varistor ceramics[J].Journal of Materials Science. Materials in Electronics,2011(11):1674-1680.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网