介绍了一种砷锗镉(CGA)晶体定向加工的新方法,即根据CGA晶体自身解理面,结合晶体标准极图和X射线衍射图谱,确定出晶体的c轴方向;并以c轴为基准快速寻找CGA晶体通光面且进行回摆精修的器件加工新方法.运用该方法,针对改进的垂直Bridgman法自发成核生长的CGA晶体,经定向切割、研磨和抛光,初步加工出CGA晶体SHG倍频器件粗坯,其相位匹配角θm=33.58°、方位角.(ψ)=0°,尺寸达5 mm×5 mm×8mm.
参考文献
[1] | Bai LH.;Poston JA.;Schunemann PG.;Nagashio K.;Feigelson RS.;Giles NC. .Luminescence and optical absorption study of p-type CdGeAs2[J].Journal of Physics. Condensed Matter,2004(8):1279-1286. |
[2] | Bai LH;Xu CC;Schunemann PG;Nagashio K;Feigelson RS;Giles NC .Urbach rule used to explain the variation of the absorption edge in CdGeAs2 crystals[J].Journal of Physics. Condensed Matter,2005(3):549-558. |
[3] | 何知宇,赵北君,朱世富,陈宝军,李佳伟,张熠,杜文娟.CdGeAs2多晶合成与单晶生长研究[J].无机材料学报,2010(11):1195-1198. |
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