SnO2掺杂对TiO2压敏电阻器性能的影响

稀有金属材料与工程, 2007, 36(z2): 177-180.

SnO2掺杂对TiO2压敏电阻器性能的影响

李志祥 ^1, , 许高杰 ^2, , 李勇 ^3, , 王琴 ^4, , 孙爱华 ^5, , 段雷 ^6, , 李亚丽 ^7, , 蒋俊 ^8,

1.中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江,宁波,315040;中国科学院固体物理研究所,材料物理重点实验室,安徽,合肥,230031

2.中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江,宁波,315040

3.中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江,宁波,315040;中国科学院固体物理研究所,材料物理重点实验室,安徽,合肥,230031

4.中国科学院固体物理研究所,材料物理重点实验室,安徽,合肥,230031

5.中国科学院固体物理研究所,材料物理重点实验室,安徽,合肥,230031

6.中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江,宁波,315040;中国科学院固体物理研究所,材料物理重点实验室,安徽,合肥,230031

7.中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江,宁波,315040;中国科学院固体物理研究所,材料物理重点实验室,安徽,合肥,230031

8.中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江,宁波,315040

关键词：压敏电阻 , 非线性系数 , 压敏电压

Effect of SnO2 Doping on the Performance of TiO2-based Varistor

采用固相合成法制备了SnO2掺杂的TiO2基压敏电阻系列样品,并通过XRD和SEM分析,以及I-V曲线测量对材料的结构和电学性能进行了研究.结果表明:SnO2的掺杂抑制了晶粒的生长,晶界相含量增加.电性能测试结果显示,SnO2的掺杂量在0～1.5 mol%内,击穿场强随SnO2掺杂量的增加单调递增;非线性系数先增加后又减小,掺杂量为0.8 mol%的样品具有最大的非线性系数(α=8.3).并对以上的实验结果从理论上给予了分析.

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