孔结构对氮化硅陶瓷介电性能的影响

稀有金属材料与工程, 2007, 36(z1): 557-559.

孔结构对氮化硅陶瓷介电性能的影响

李军奇 ^1, , 赵锴 ^2, , 徐洁 ^3, , 罗发 ^4, , 朱冬梅 ^5, , 周万城 ^6,

1.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

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6.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

基金项目: 国家自然科学基金(90305016)

关键词：氮化硅 , 多孔陶瓷 , 成孔剂 , 冰冻-干燥法 , 介电性能

Effect of Porous Structure on the Dielectric Properties of Silicon Nitride Ceramics

采用添加成孔剂和冰冻-干燥法制备了具有不同气孔率的氮化硅多孔陶瓷,研究了该陶瓷在9.3 GHz的微波介电性能.用SEM对微观形貌进行观察.结果表明,不同的成型工艺制备出具有不用孔结构的氮化硅多孔陶瓷,添加成孔剂制备的多孔陶瓷为较大的孔、洞分布在较致密的基体上;冰冻-干燥法制备的多孔陶瓷具有复合孔结构.对试样介电特性的研究表明,除了气孔率对介电常数和介电损耗有较大影响外,孔结构也是影响其介电特性的重要因素.

参考文献

[1]	Díaz A;Hampshire S .[J].Journal of the European Ceramic Society,2004,24(02):412.
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