欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

研究了利用化学炉自蔓延合成方法合成高纯二硅化钼粉体,以点燃的C和Ti粉混合物为化学炉,以NH4C1作为添加剂,成功的合成出高纯二硅化钼粉体.所得合成产物经XRD、XRF和SEM分析结果表明,添加有NH4C1的化学炉方法自蔓延合成出的二硅化钼粉体较常规自蔓延合成方法合成出的粉体,纯度高、杂质含量少,且粒度细、均匀.

参考文献

[1] Jeng Y L;Lavernla E J .[J].Materials Science,1994,29:2557.
[2] 江莞,赵世柯,王刚.二硅化钼材料的研究现状及应用前景[J].无机材料学报,2001(04):577-585.
[3] 胡宝玉;张鸿达;徐延庆.特种耐火材料[M].北京:冶金工业出版社,2004:341.
[4] 傅正义,袁润章.自蔓延法高温合成材料新技术[J].武汉工业大学学报,1991(03):26-33.
[5] Zhang S;Munir Z .[J].MaWr Sci,1991,26:3685.
[6] Subrahmanyam J .[J].Materials Research,1994,9(10):2620.
[7] 郜剑英 .二硅化钼发热元件产品开发过程中若干重要科学问题的研究[D].中国科学院上海硅酸盐研究所,2005.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%