研究了利用化学炉自蔓延合成方法合成高纯二硅化钼粉体,以点燃的C和Ti粉混合物为化学炉,以NH4C1作为添加剂,成功的合成出高纯二硅化钼粉体.所得合成产物经XRD、XRF和SEM分析结果表明,添加有NH4C1的化学炉方法自蔓延合成出的二硅化钼粉体较常规自蔓延合成方法合成出的粉体,纯度高、杂质含量少,且粒度细、均匀.
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