传统的化学镀镍前处理会对单晶硅造成严重影响,进而影响两者的结合.以单因素条件设计并结合4因素3水平正交试验,对单晶硅表面进行改性活化处理,优选出化学镀镍的处理条件为:羟基化处理15 h,偶联处理48 h,再在化学镀液中于90℃下施镀1 h,在此条件下对单晶硅化学镀镍可以获得的沉积速度高达6.137mg/(cm2·h),且镀层与硅片结合牢固,颗粒品质优良.
参考文献
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| [2] | Liu CM;Liu WL;Hsieh SH;Tsai TK;Chen WJ .Interfacial reactions of electroless nickel thin films on silicon[J].Applied Surface Science: A Journal Devoted to the Properties of Interfaces in Relation to the Synthesis and Behaviour of Materials,2005(1/4):259-264. |
| [3] | 胡睿,张华明,熊晓玲,王关全,杨玉青,刘国平.小体积化学镀镍工艺[J].电镀与涂饰,2009(08):27-29. |
| [4] | Abraham Ulman .Formation and Structure of Self-Assembled Monolayers[J].Chemical Reviews,1996(4):1533-1554. |
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