欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

TiO2压敏陶瓷的压敏电压低、非线性系数高、介电常数大、制备工艺简单,在电子、通信、航天航空等高新技术产业的低压保护中具有广阔的应用前景.主要从粉体制备工艺、叠层方式烧结、烧结氛围、烧结温度及保温时间、掺杂物质及浓度等方面归纳总结了TiO2压敏陶瓷的研究状况,并展望了其今后的研究趋势.

参考文献

[1] 袁明军,崔文权,李苹,冯良荣.TiO2压敏电阻的研究与应用[J].材料科学与工艺,2008(06):751-754.
[2] Gupat T K .Application of zinc oxide varistor[J].Journal of the American Ceramic Society,1990,73(07):1817.
[3] Yamaoka N;Masuyama M .SrTiO3-based boundary layer capacitor have varistor characteristics[J].Journal of the American Ceramic Society,1983,62(06):698.
[4] 邢晓东,谢道华,胡明.压敏电阻陶瓷材料的研究进展[J].电子元件与材料,2004(02):21-24.
[5] 陈妍妍,邹敏,王琪琳,王晓燕,张云,王远.烧结条件对TiO2压敏陶瓷性能的影响[J].四川有色金属,2008(04):27-32.
[6] 宋朝文,徐庆,黄端平.制备工艺和添加剂对TiO2体系陶瓷的复合功能特性的影响[J].陶瓷学报,2007(03):195-198.
[7] 孙丹峰;季幼章;张立德 等.纳米ZnO掺杂对高能压敏电阻的改性研究[J].功能材料,2001,32(10):606.
[8] 陈海芳,甘国友,严继康,张小文.纳米TiO2添加剂对TiO2压敏陶瓷性能的作用[J].半导体技术,2006(02):102-104,118.
[9] 严继康,甘国友,陈海芳,张小文,孙加林.纳米粉体对TiO2压敏陶瓷晶界势垒结构的影响[J].半导体技术,2007(02):109-112.
[10] 李红耘,张玉春,罗绍华,尧巍华,唐子龙,张中太,庄严,熊西周.磁化水配料对TiO2压敏陶瓷电性能和微观结构的影响[J].硅酸盐学报,2003(03):250-253.
[11] Li Jianying;Luo Shaohua;Yao Weihua et al.The effect of magnetized water on TiO2 based varistors[J].Journal of the European Ceramic Society,2004,24:2605.
[12] 孙质彬,王昕,尹衍升,尧巍华,刘伯洋,范艳华,李文戈.叠层方式烧结对TiO2环形压敏电阻电性能的影响[J].机械工程材料,2013(02):86-89,99.
[13] 朱道云,周方桥,丁志文,梁鸿东.Nb2O5掺杂及TiO2压敏陶瓷埋烧工艺的研究[J].华中科技大学学报(自然科学版),2004(02):54-57.
[14] 孟凡明,孙兆奇.粉料埋烧的TiO2瓷致密性和微观规整性研究[J].电子元件与材料,2005(02):11-12.
[15] 严继康,甘国友,陈海芳,张小文,孙加林.烧结温度对TiO2压敏陶瓷结构和性能的影响[J].压电与声光,2008(03):332-334.
[16] Yan J;Gan G;Du J et al.Effects of sintering temperature on microstructure and properties in TiO2 varistor ceramics[J].Adv Mater Res,2010,105-106(01):324.
[17] Qin Q;Wang T G;Zhang W J .Influence of sintering temperature on the electrical properties of (La,Ta)-doped TiO2 capacitor ceramics[J].Adv Mater Res,2011,197-198:294.
[18] Wang T G;Qin Q;Zhang W J .Effect of temperature and electrical properties of (Y,Ta)-doped TiO2 capacitor-varistors ceramics[J].Adv Mater Res,2011,214:173.
[19] Yang L S;Wu J M .Influence of sintering time on (Ba,Bi,Nb)-added TiO2 ceramic varistor[J].Journal of Materials Science Letters,1995,14(10):748.
[20] Meng Fanming .Influence of sintering temperature on semiconductivity and nonliner electrical properties of TiO2-based varistor ceramics[J].MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING B,2005,117:77.
[21] MENG Fan-ming,SUN Zhao-qi.Influence of soaking time on semi-conductivity and nonlinear electrical properties of TiO2-based varistor ceramics[J].重庆大学学报(英文版),2008(04):297-301.
[22] Chen Y;Zou M;Wang Y et al.Influence of sintering temperature on microstructure and electrical properties of TiO2 varistor ceramics[J].Adv Mater Res,2010,105-106(01):317.
[23] 张小文,甘国友,严继康,季惠明,陈朝霞.TiO2压敏电阻的现状与展望[J].材料导报,2003(08):41-43,50.
[24] 肖洪地,王成建.TiO2-V2O5陶瓷的复合特性研究[J].压电与声光,2003(02):146-148.
[25] 孟凡明,傅刚,胡素梅,陈志雄.Ta2O5与Nb2O5对TiO2基压敏陶瓷电性能的影响[J].硅酸盐学报,2004(12):1496-1499.
[26] 朱道云,周方桥,庄严.TiO2系压敏陶瓷施主掺杂研究[J].电子元件与材料,2006(02):28-30.
[27] 米佳,张中太,唐子龙.La、Ce、Y等稀土元素对Nb掺杂的TiO2基压敏陶瓷结构与性能的影响[C].中国电子学会敏感技术分会第十二届电压敏学术年会论文,2005:66-69.
[28] 张卫;武明堂;刘辅宜 .MnO2添加剂对TiO2压敏陶瓷非线性的作用[J].压电与声光,1994,16(04):33.
[29] 李莉,屈晓田.Bi2O3对TiO2系压敏陶瓷性能的影响[J].电子元件与材料,2007(03):49-51.
[30] 许毓春;李慧峰;王士良 等.SiO2对TiO2系压敏陶瓷电性能的影响[J].压电与声光,1994,16(05):41.
[31] 王天国,覃群,周志刚.La2O3掺杂对TiO2系压敏陶瓷结构和性能的影响[J].电子元件与材料,2010(10):32-35.
[32] Ta2O5对TiO2基压敏陶瓷半导化的影响[J].压电与声光,2005(05):554-556.
[33] Zou M;Wang Y;Chen Y et al.Influences of donor additives on properties of TiO2-based varistor[J].Adv Mater Res,2010,105-106(01):320.
[34] 周文斌,唐超群,薛霞,胡连峰,马新国,黄金球.Nb2O5掺杂对TiO2陶瓷性能的影响[J].材料科学与工程学报,2006(02):255-257.
[35] Luo Shaohua;Li Jianying et al.Effect of Ta2O5 in (Ca,Si,Ta)-doped TiO2 ceramic varistors[J].CERAMICS INTERNATIONAL,2008,34:1345.
[36] Ricardo Guido Follador Neto;Eder Carlos Ferreira de Souza;Andre Vitor Chaves de Andrade;Sandra Regina Masetto Antunes;Augusto Celso Antunes .Influence of Nb_2O_5 on the varistor behavior of TiO_2-Cr_2O_3 system[J].Journal of Materials Science. Materials in Electronics,2013(3):938-944.
[37] 苏文斌,王矜奉,陈洪存,王文新,臧国忠,李长鹏.钨掺杂对二氧化钛压敏电阻瓷电性能的影响[J].电子元件与材料,2002(05):1-2,5.
[38] Wenbin Su;Jinfeng Wang;Hongcun Chen;Guozhong Zang;Peng Qi;Chunming Wang .Nonlinear Electrical Properties of (Sc, Ta) Doped TiO_2 Varistor Ceramics[J].Key engineering materials,2005(1):289-292.
[39] Wang T;Qin Q;Zhou D .Effect of Pr on the microstructure and electrical properties of Ta-doped TiO2 capacitor-varistor ceramics[J].Materials Science Forum,2011,687:34.
[40] Wang T G;Qin Q;Zhang W J .Effect of CeO2 on the electrical properties of Ta2 O5-doped TiO2 capacitor-Varistor ceramics[J].Adv Mater Res,2011,214:168.
[41] 王天国,邵刚勤,李喜宝,张文俊.Y2O3掺杂对Ta2O5-TiO2电容-压敏陶瓷的影响[J].武汉理工大学学报,2009(13):4-7,15.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%