本文在勾形磁场现有磁屏蔽体的基础上,提出一种新的磁屏蔽体结构,并以8寸单晶炉新型磁屏蔽体结构的勾形磁场为研究对象,对其进行了模拟分析及优化设计.结果表明:安匝数一定的情况下(33600),采用新型磁屏蔽体的勾形磁场较现有勾形磁场的磁场强度Br,提高了约27.03％;当坩埚侧处产生横向磁场强度均为491Gs时,其功耗下降了约35.97％;该研究为进一步降低功耗提供了一种设计思路及设计方法.
参考文献
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