欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

目前通常有两种方法对CNT-FED场发射进行计算,即镜像悬浮球法和解拉普拉斯方程的方法,虽然解拉普拉斯方程的方法比较复杂,但可以计算出完整的CNTs结构空间各点电场情况.通过解拉普拉斯方程的方法研究了CNTs栅极冷阴极这种符合实际情况且有广泛应用前景的结构.计算结果表明,CNTs尖端处电场强度很大,随着半径r的增加,电场强度急剧减小;场增强因子随CNTs长径比的增加而增加,对于长径比一定的CNTs阵列,对应着一个最佳阵列密度;栅极电压对这种CNTs结构的电流密度有很强的控制作用;并且在极板间距变化的情况下得出了CNTs周围电流密度分布;随着栅极电压的增大,CNTs尖端电流密度随之增大,极板间距减小也可提高CNTs尖端电流密度.

参考文献

[1] De Heer Walt A;Chatelain A;Ugrate D .[J].Science,1995,270:1179-1180.
[2] 戴剑锋,乔宪武,张嵩波,王青,李维学.碳纳米管阵列栅极冷阴极场发射增强因子的计算[J].功能材料,2008(11):1903-1905.
[3] 曹得财,王六定,陈国栋,安博,梁锦奎,丁富才.双掺杂碳纳米管电子场发射性能的密度泛函研究[J].功能材料,2009(06):1033-1035.
[4] 朱亚波,王万录,廖克俊.对碳纳米管阵列的场发射电场增强因子以及最佳阵列密度的研究[J].物理学报,2002(10):2335-2339.
[5] Wang W Q;Wang M;Li Z H et al.[J].Ultramicroscopy,2005,102:181-187.
[6] 王新庆,王淼,李振华,杨兵,王凤飞,何丕模,徐亚伯.单根纳米导线场发射增强因子的计算[J].物理学报,2005(03):1347-1351.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%