设计了由SiO2和Te构成的一维光子晶体结构,对该结构的全向反射带特性进行分析.找到了TE和TM模的全向反射带范围,TE模的反射带在785 nm到1258 nm内变化,TM模的反射带在785 nm到1099 nm范围内变化.讨论了晶格常数,晶格周期对该全向反射带的影响.结果表明,TE模的全向反射带始终比TM模的宽.晶格常数增大,TE和TM模的全向反射带均向归一化频率较高(对应长波)的方向移动.晶体周期增大,TM模的全向反射带会变窄,而TE模的全向反射带变化不大.此外还发现,参数变化对TM模的反射带的影响明显大于对TE模的影响.
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