使用预先烧结好的多晶原料,在一定比例的N2和CO2混合气氛下,采用提拉法生长出了高质量的铽镓石榴石(TGG)单晶.采用XRD、ICP和热力学计算进行分析,结果表明,晶体生长过程中的挥发机制为Tb3Ga5O12的分解,分解产物为Tb3 GaO6,Ga2O和O2.CO2被Ga2O还原产生O2,抑制了Tb3Ga5O12的分解.TGG单晶的化学分子式存在Tb富集或Ga缺失,为Tb3Ga4.4～4.5O11.1～11.3非化学计量比相.将晶体毛坯加工成φ2.8 mm×10.7 mm的晶棒,消光比测试结果表明镀增透膜后消光比平均可提高18.8 dB.
参考文献
| [1] | Dachraoui H;Rupp RA;Lengyel K;Ellabban MA;Fally M;Corradi G;Kovacs L;Ackermann L .Photochromism of doped terbium gallium garnet[J].Physical review, B. Condensed matter and materials physics,2006(14):4104-1-4104-11-0. |
| [2] | Wenjing Zhang;Feiyun Guo;Jianzhong Chen .Growth and characterization of Tb_3Ga_(5-x)Al_xO_(12) single crystal[J].Journal of Crystal Growth,2007(1):195-199. |
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