高纯W-Si合金粉的研制

稀有金属材料与工程, 2014, 43(5): 1269-1271.

高纯W-Si合金粉的研制

丁照崇 ^1, , 陈明 ^2, , 刘书芹 ^3, , 王欣平 ^4, , 吕保国 ^5,

1.北京有色金属研究总院,北京100088;有研亿金新材料股份有限公司,北京102200

2.北京有色金属研究总院,北京100088;有研亿金新材料股份有限公司,北京102200

3.北京有色金属研究总院,北京100088;有研亿金新材料股份有限公司,北京102200

4.北京有色金属研究总院,北京100088;有研亿金新材料股份有限公司,北京102200

5.北京有色金属研究总院,北京100088;有研亿金新材料股份有限公司,北京102200

关键词：高纯W-Si , 预合金化 , 磁控溅射靶材

Preparation of High Purity W-Si Alloy Powder

Ding Zhaochong ^1, , Chen Ming ^2, , Liu Shuqin ^3, , Wang Xinping ^4, , Lü Baoguo ^5,

1.北京有色金属研究总院,北京100088;有研亿金新材料股份有限公司,北京102200

2.北京有色金属研究总院,北京100088;有研亿金新材料股份有限公司,北京102200

3.北京有色金属研究总院,北京100088;有研亿金新材料股份有限公司,北京102200

4.北京有色金属研究总院,北京100088;有研亿金新材料股份有限公司,北京102200

5.北京有色金属研究总院,北京100088;有研亿金新材料股份有限公司,北京102200

Keywords： high purity tungsten silicide , pre-alloying , magnetron sputtering target

以高纯W粉、Si粉为原料,在真空环境下进行高温预合金化处理,制备了高纯W-Si合金粉.通过优化,确定了最佳预合金化温度为1000℃;合金粉中,单质W相消失,生成WSi2相.粉末粒度呈单峰分布,d50为21.037 μm,d90为50.905 μm,纯度可达到99.995％以上.采用合金粉烧结的磁控溅射靶材的微观组织、成分均匀分布,解决了W-Si靶材成分难以均匀的难题.

参考文献

[1]	彭可,易茂中,冉丽萍.WSi2的价电子结构及其性能研究[J].稀有金属材料与工程,2007(10):1754-1758.
[2]	韩欢庆,卢惠民,邱定蕃,褚征军.自蔓延高温合成二硅化钨粉末[J].中国钨业,2005(04):39-41.
[3]	彭可,易茂中,冉丽萍.自蔓延热爆合成MoSi2-WSi2复合粉末[J].中国有色金属学报,2005(06):870-875.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网