Ⅱb型金刚石单晶的制备和半导体特性研究进展

功能材料, 2003, 34(6): 622-625.

Ⅱb型金刚石单晶的制备和半导体特性研究进展

宫建红 ^1, , 李木森 ^2, , 许斌 ^3, , 尹龙卫 ^4, , 崔建军 ^5,

1.山东大学,材料科学与工程学院,山东,济南,250016

2.山东大学,材料科学与工程学院,山东,济南,250016

3.山东大学,材料科学与工程学院,山东,济南,250016;山东建筑工程学院,材料科学与工程系,山东,济南,250014

4.山东大学,材料科学与工程学院,山东,济南,250016

5.山东大学,材料科学与工程学院,山东,济南,250016

基金项目: 国家自然科学基金(59631060)

关键词：人造金刚石 , 半导体性能 , 硼

Recent development of synthesis and semiconducting characteristics of the type-Ⅱb diamond

Ⅱb型金刚石由于具有极佳的半导体性能,适合于制造高性能电力电子器件,可以在更高的温度和恶劣的环境下正常工作,是一种有发展前途的高温、大功率半导体材料.本文从结构、合成方法、半导体特性和应用等方面阐述了Ⅱb型半导体金刚石的研究现状,在此基础上提出了今后的研究方向.

参考文献

[1]	Huggins C M;Cannon P .[J].Nature,1962,194:829.
[2]	Field J E.The Properties of Diamond[M].London: Academic Press,1977:641.
[3]	Davis R F et al.[J].Material Science and Engineering,1988,B1:77.
[4]	Prins J F .[J].Physical Review B,1988,38(08):5576-5584.
[5]	Kiyota H;Matsushima E;Sato K et al.[J].Diamond and Related Materials,1997,6:1753-1758.
[6]	Xia Y;Sekiguchi T;Zhang W et al.[J].Journal of Crystal Growth,2000,213:328-333.
[7]	Prins J F .[J].PHYSICAL REVIEW B,1988,39(06):3764-3770.
[8]	方啸虎.超硬材料科学与技术[M].北京:中国建材工业出版社,1998:9-10.
[9]	郝跃;彭军;杨银堂.碳化硅宽带隙半导体技术[M].北京:科学出版社,2000
[10]	臧建兵,黄浩,赵玉成.含掺杂的金刚石[J].金刚石与磨料磨具工程,2002(01):16-18.
[11]	郝兆印;陈宇飞;邹广田.人工合成金刚石[M].长春:吉林大学出版社,1996
[12]	苟清泉 .[J].吉林大学学报(自然科学版),1974,2:52-63.
[13]	苟清泉 .[J].人造金刚石,1977,2:26-36.
[14]	苟清泉;曹国英;丁立业 .[J].高压物理学报,1989,3(01):25-30.
[15]	郝兆印 .[J].工业金刚石,1996,1:6-9.
[16]	孙江,李君峰,耿大全.人造金刚石触媒材料的研究概况[J].金属功能材料,1996(02):41.
[17]	吕丰农 .[J].工业金刚石,2000,3:17-20.
[18]	姚裕成;胡光亚;佟学礼 .[J].人工晶体学报,1999,1:23.
[19]	张沪;周慧平.[J].工业金刚石,2000(05):28-30.
[20]	王松顺.黑色含硼金刚石的合成[J].炭素,2000(02):34-37.
[21]	Luo Xiang-jie;Liu Qiang;Luo Bo-cheng et al.[J].Journal of Materials Science,1997,16:1005-1007.
[22]	王松顺.用含硼T641石墨制造硼皮含氮人造金刚石的研究[J].炭素,1999(03):39-41.
[23]	张清福.天然金刚石形成透明硼皮金刚石的研究[J].高压物理学报,1989(01):11.
[24]	关长斌 .[J].无机材料学报,1994,3:39-42.
[25]	Robertson R.Philosophical Transactions of the Royal[M].London:Society of London Series A,1934:232-463.
[26]	Custers J F H .[J].Physical,1952,18:489.
[27]	Wentorf R H .[J].Chemical Physics,1962,36:1987.
[28]	Yoder M.N. .Wide bandgap semiconductor materials and devices[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1996(10):1633-1636.
[29]	郭永存;李植华;张广云.金刚石的人工合成与应用[M].北京:科学出版社,1984:309.
[30]	Prins J F .[J].Applied Physics Letters,1982,41:950.
[31]	Geis M W et al.[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1987,8:341.
[32]	周灵平;靳九成;李绍禄 .[J].半导体技术,1997,4:36-39.
[33]	Rodger G B et al.[J].Review of Scientific Instruments,1960,31:663.
[34]	Vereshchagin L F et al.[J].Soviet physics Semiconduct,1975,9:1581.
[35]	Vavilov V S et al.[J].Soviet physics Semiconduct,1979,13:604.
[36]	Tzeng Y.Fabrication and High Temperature Characteristics of Diamond Electronic Devices[C].Symp.McGregor & Wamer,Washington in 7th Biennial University/Govemment/Industry Microelectronics,1987:187.
[37]	Guseva M I et al.[J].Soviet physics Semiconduct,1987,12:290.
[38]	Geis M W et al.[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1987,8:341.
[39]	Tsui W et al.[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1991,12:157.
[40]	Klugmann E;Polowczyk M .[J].Materials Research Innovations,2000,4:45-48.
[41]	党冀萍 .[J].半导体情报,1994,4:46-56.
[42]	Nakahara T .[J].Materials Research Innovations,1997,1:38-43.
[43]	范兴涛;肖俊玲;胡国程 .[J].金刚石与磨料磨具工程,1997,1:17-19.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

Ⅱb型金刚石单晶的制备和半导体特性研究进展

Recent development of synthesis and semiconducting characteristics of the type-Ⅱb diamond

参考文献