La0.82Te0.18MnO3薄膜的庞磁电阻效应及光诱导特性

稀有金属材料与工程, 2007, 36(4): 644-647.

La0.82Te0.18MnO3薄膜的庞磁电阻效应及光诱导特性

高国棉 ^1, , 陈长乐 ^2, , 王建元 ^3, , 韩立安 ^4, , 王永仓 ^5, , 宋宙模 ^6,

1.西北工业大学,陕西,西安,710072;空军工程大学,陕西,西安,710051

2.西北工业大学,陕西,西安,710072

3.西北工业大学,陕西,西安,710072

4.西北工业大学,陕西,西安,710072

5.西北工业大学,陕西,西安,710072;空军工程大学,陕西,西安,710051

6.西北工业大学,陕西,西安,710072

基金项目: 西北工业大学校科研和教改项目(CX200615) 国家自然科学基金(50331040;60171034)

关键词： LTMO薄膜 , 电子掺杂 , CMR效应 , 光诱导效应

CMR Effect and the Photo-Induced Properties in La0.82Te0.18MnO3 Thin Film

用脉冲激光沉积(PLD)法在LaAlO3单晶衬底上制备了VIA族非金属元素Te掺杂的La0.82Te0.18MnO3(LTMO)薄膜.X射线衍射分析表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且沿(012)方向择优生长;电阻-温度关系显示,该材料存在金属-绝缘体转变特性和庞磁电阻(CMR)效应;在0.7 T的磁场作用下,薄膜的磁电阻最大值为30.6%,对应的温度在263 K.而室温(303 K)磁电阻值为4.8%;拟合分析表明,薄膜在低温区是单磁子散射,在高温区满足小极化子输运模型.在波长为532 nm的绿激光作用下,在253 K,光致电阻变化率达到最大值33.6%;分析认为这可能是由于光激发会改变材料中的磁有序,减弱双交换作用,进而改变电子的输运性质.

参考文献

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