物理气相传输法制备SiC单晶中碳包裹物研究

人工晶体学报, 2014, 43(7): 1602-1606.

物理气相传输法制备SiC单晶中碳包裹物研究

杨昆 ^1, , 杨祥龙 ^2, , 崔潆心 ^3, , 彭燕 ^4, , 陈秀芳 ^5, , 胡小波 ^6, , 徐现刚 ^7,

1.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100

2.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100

3.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100

4.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100

5.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100

6.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100

7.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100

关键词：物理气相传输 , 4H-SiC , 碳包裹物 , 质量输运 , 形成机制

Carbon Inclusions in Silicon Carbide Single Crystals Grown by Physical Vapor Transport Method

Keywords： PVT , 4H-SiC , carbon inclusion , formation mechanism ,

使用物理气相传输方法(PVT)生长出3英寸4H-SiC单晶.在生长过程中通过在粉料表面放置分布有多个贯穿孔的石墨片,在粉料表面有意引入具有一定分布规律的碳颗粒.在生长后的单晶中能够观察到与石墨片贯穿孔分布相似的包裹物分布.通过对实验结果分析,提出了碳包裹物的形成机制,作者认为生长过程中生长腔内产生的碳颗粒是单晶中碳包裹物的重要来源.并根据该分析进一步提出了减少PVT方法制备SiC单晶中碳包裹物的方法.

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Carbon Inclusions in Silicon Carbide Single Crystals Grown by Physical Vapor Transport Method

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